导电银胶84-1LMISR4乐泰导电胶

HenkelAblestikABLEBOND84-1LMISR4是一种单组份、低粘度的导电银胶。胶流变性能好，适用于高速dieattach封装，无拉丝和拖尾；纯度高，广泛应用在半导体工业主要用于半导体芯片的粘贴，适用于全自动机器高速点胶，是目前世界上出胶速度较快的一款导电银胶。特点流变性能好，适用于高速dieattach封装，无拉丝和拖尾；纯度高，广泛应用在半导体工业.Ablebond84-1LMISR4导电银胶适用于全自动机器高速点胶。Ablebond84-1LMISR4导电银胶允许较少量胶分配，并降低停留时间，而无残胶或拉丝的烦恼。特征：分配均匀，残胶和拉丝量较小。烘炉固化未固化特性检测说明检测方法密度3.5g/cc填充剂银粘性@25℃8000cps触变指数5.6使用寿命@25℃18小时保存时间@-40℃1年比重瓶BrookfieldCP51@5rpm粘性@0.5/粘性@5rpm%填充剂物理使用寿命PT-1PT-42PT-61PT-12PT-13固化处理数据建议固化条件1小时@175℃或者（1）3-5℃/分升温到175℃+1小时@175℃这种升温固化降低结合面温度，让溶剂挥发并增加强度。固化重量损失5.3%载玻片上10×10mm硅芯片PT-80以上数据仅为代表数据。如需详细说明，请向我们索取较新的标准发布说明。10/00ABLEBOND84-1LMISR4固化前物理化学特性检测说明检测方法离子型表面活性剂氯化物5ppm钠3ppm钾1ppm抽水传导性13mmhos/cmpH6重量损失@300℃0.35%玻璃转化温度120℃热膨胀系数低于Tg40ppm/℃**Tg150ppm/℃动态拉伸模量@-65℃4380Mpa（640Kpsi）@25℃3940Mpa（570Kpsi）@150℃1960Mpa（280Kpsi）@250℃300Mpa（44Kpsi）吸湿率@饱和0.6%特氟纶烧瓶5gm样品/20-40筛网5gmDI水保持100℃24小时热解重量分析TMA渗透模式TMA膨胀模式动力热解分析使用<0.5mm厚度的样品动态蒸发吸附作用85℃/85%RH曝光以后CT-13CT-6CT-7PT-20MT-14MT-9MT-12PT-65固化后电热特性导热性2.5W/m。K@121℃体积电阻率0.0001ohm-cmC-MATIC导电检测器4点探测PT-40PT-46以上数据仅为标准数据。如果需要详细说明，请索取我们较新的标准发布说明。ABLEBOND84-1LMISR4固化后机械特性检测说明检测方法芯片剪切强度@25℃19kg/die芯片剪切强度和温度@25℃@200℃@250℃21kg/die2.9kg/die1.7kg/die11kg/die2.6kg/die1.4kg/die27kg/die2.4kg/die2.0kg/die85℃/85%RH曝光168小时以后芯片剪切强度@25℃@200℃12kg/die1.8kg/die10kg/die2.5kg/die23kg/die1.8kg/die芯片热变形@25℃与芯片大小芯片尺寸热变形7.6×7.6mm（300×300mil）19mm10.2×10.2mm（400×400mil）32mm12.7×12.7mm（500×500mil）51mm碎片热变形与固化后电热处理2固化后+丝焊+铸型烘焙后（1分钟@250℃）（4小时@175℃）20mm29mm28mm22mm30mm28mm数据由改变升温处理条件获得。2×2mm（80×80mil）硅芯片3×3mm（120×120mil）硅芯片基材银/铜引线框架裸铜引线框架钯/镍/铜引线框架3×3mm（120×120mil）硅芯片基材银/铜引线框架裸铜引线框架钯/镍/铜引线框架0.38mm（15mil）厚的硅芯片在0.2mm厚的银/铜引线框架上7.6×7.6×0.38mm（300×300×15mil）硅芯片在0.2mm（8mil）厚的LF上基材银/铜引线框架裸铜引线框架以上数据仅为代表数据。